Заочные электронные конференции
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 
     
Потери тока короткого замыкания в фотоэлектрических структурах с субмикронным n p переходом, обусловленные накоплением неравновесного поверхностного заряда
Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р.


Для чтения PDF необходима программа Adobe Reader
GET ADOBE READER

Библиографическая ссылка

Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Потери тока короткого замыкания в фотоэлектрических структурах с субмикронным n p переходом, обусловленные накоплением неравновесного поверхностного заряда // Современные проблемы науки и образования .
URL: http://econf.rae.ru/article/226 (дата обращения: 02.10.2020).



Сертификат Получить сертификат